Ab Initio Transfer Length Method Simulations of Tunneling Limits in 2D Semiconductors
यह शोध पत्र मेटल/2D-सेमीकंडक्टर इंटरफेस को कैरेक्टराइज करने के लिए अब इनीशियो ट्रांसमिशन लाइन मॉडल सिमुलेशन का उपयोग करते हुए एक फर्स्ट-प्रिंसिपल्स फ्रेमवर्क प्रस्तुत करता है, जो यूनिवर्सल टनलिंग लिमिट्स को प्रकट करता है और जैसे-जैसे डिवाइस सब-2 nm टेक्नोलॉजी नोड की ओर बढ़ रहे हैं, अगली पीढ़ी के 2D ट्रांजिस्टर के लिए इष्टतम संपर्क रणनीतियों की पहचान करता है।