Synchrotron-radiation X-ray topography and reticulography of bulk -GaO crystals grown from a crucible-free melt
यह अध्ययन कोल्ड क्रूसिबल विधि द्वारा ऑक्साइड क्रिस्टल विकास के माध्यम से उगाए गए बल्क -GaO क्रिस्टल के संरचनात्मक गुणों और दोष वितरण को लक्षणित करने के लिए सिनक्रोट्रॉन रेडिएशन एक्स-रे टोपोग्राफी और रेटिकुलोग्राफी का उपयोग करता है, जो बीज (seed) के पास उच्च क्रिस्टलीय गुणवत्ता, व्यास विस्तार के दौरान एक ट्विस्ट-प्रकार का जाली विमुखता (lattice misorientation), और क्रिस्टल में विभिन्न घनत्वों वाले प्रमुख -अभिविन्यास वाले स्क्रू डिस्लोकेशन को प्रकट करता है।