Carrier Localization in Pnictogen-Based Chalcohalides from Defect-Bound Hot Polarons
यह अध्ययन प्रकट करता है कि निक्टोजेन-आधारित चालकोहैलाइड BiSBr में, संश्लेषण या उपचार के दौरान उत्पन्न रिक्तियां दोष-बद्ध हॉट पोलरॉन (defect-bound hot polarons) के निर्माण के माध्यम से बाह्य वाहक स्थानीयकरण (extrinsic carrier localization) को प्रेरित करती हैं, जो उत्तेजित वाहकों को बैंड एज तक ठंडा होने से विचलित कर देते हैं और इस प्रकार सौर अवशोषक दक्षता को सीमित करते हैं।