First-principles insights into the atomic structure of carbon-nitrogen-oxygen complex color centers in silicon
यह अध्ययन प्रथम-सिद्धांत गणनाओं (first-principles calculations) का उपयोग करते हुए यह प्रस्तावित करता है कि सिलिकॉन में प्रयोगात्मक रूप से देखे गए N-लाइन श्रृंखला का उद्भव कार्बन, नाइट्रोजन, स्व-अंतरालीय (self-interstitials) और ऑक्सीजन से जुड़े जटिल दोषों से होता है, जो उन्हें दूरसंचार बैंड के पास क्वांटम प्रौद्योगिकियों के लिए उपयुक्त आइसोइलेक्ट्रॉनिक स्पिन-डबलेट क्वबिट्स के रूप में पहचानता है।