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🔬 materials science

Three-dimensional imaging of oxygen dopant distribution in Sr2_2CuO3+δ_{3+\delta} by electron ptychography

मल्टीस्लाइस इलेक्ट्रॉन प्टाइकोग्राफी का उपयोग करते हुए, शोधकर्ताओं ने Sr2_2CuO3+δ_{3+\delta} में ऑक्सीजन डोपेंट्स की त्रि-आयामी परमाणु-स्तर की इमेजिंग हासिल की, जिससे टेन्साइल-स्ट्रेन्ड क्षेत्रों में उनके गैर-यादृच्छिक क्लस्टरिंग का पता चला और क्यूप्रेट सुपरकंडक्टर्स में डोपिंग को ट्यून करने के लिए स्ट्रेन को एक प्रमुख पैरामीटर के रूप में स्थापित किया गया।

Hongbin Yang, Jinkwon Kim, Desheng Ma, Dasol Yoon, Darrell G. Schlom, David A. Muller2026-08-21
🔬 materials science

Thermoelectric properties of Topological Weyl Semimetal Cu2_2ZnGeTe4_4

यह अध्ययन Cu2_2ZnGeTe4_4 की एक ट्यूनेबल प्लेटफॉर्म के रूप में जांच करता है जहाँ प्रथम-सिद्धांत गणनाएँ और प्रयोग प्रकट करते हैं कि जबकि जाली विस्तार (lattice expansion) या Sn प्रतिस्थापन एक टोपोलॉजिकल वेइल सेमीमेटल अवस्था को प्रेरित कर सकते हैं, सामग्री का उत्कृष्ट थर्मोइलेक्ट्रिक प्रदर्शन (ZT ≈\approx 1) वास्तव में इसकी संकीर्ण-अंतराल (narrow-gap) अर्धचालक अवस्था में प्राप्त किया जाता है क्योंकि टोपोलॉजिकल अवस्था की तुलना में इसमें तापीय चालकता कम होती है।

Bhawna Sahni, Himanshu Sharma, Riddhimoy Pathak, P C Sreeparvathy, Tanusri Saha-Dasgupta, Kanishka Biswas, Aftab Alam2026-08-20
🔬 materials science

Epitaxial thin film growth in the U-Ge binary system

यह अध्ययन एकल-क्रिस्टल सबस्ट्रेट्स पर यूरेनियम और जर्मेनियम के सह-निक्षेपण (co-deposition) के माध्यम से U-Ge चरण आरेख (phase diagram) की जांच करता है, जिसमें UGe3_3 और UGe के प्रभुत्व वाले मिश्रित-चरण फिल्मों को सफलतापूर्वक स्थिर किया गया है और उच्च तापमान पर UO2_2 के निर्माण का अवलोकन किया गया है तथा UGe3_3-प्रभुत्व वाले नमूनों में छह तक के अवशिष्ट प्रतिरोधकता अनुपात (residual resistivity ratios) के साथ धात्विक व्यवहार प्रदर्शित किया गया है।

Syed Akbar Hussain, Ali A. M. H. Jasem, Lottie M. Harding, Ross S. Springell, Christopher Bell2026-08-20
🔬 materials science

Breaking the mutual exclusivity between metallicity and ferroelectricity in a non-polar covalent semiconductor via orbital selective doping

क्यूबिक सिलिकॉन कार्बाइड को नाइट्रोजन के साथ अत्यधिक डोपिंग करके, शोधकर्ताओं ने उस लंबे समय से चले आ रहे नियम को तोड़ दिया कि फेरोइलेक्ट्रिसिटी और धात्विकता एक दूसरे के विरोधी हैं, जिससे एक ऐसा फेरोइलेक्ट्रिक मेटल (ferroelectric metal) निर्मित हुआ जो परमाणु-स्तर पर ध्रुवीकरण उत्क्रमण (polarization reversal) और उच्च-प्रदर्शन वाली नॉनवोलेटाइल मेमोरी क्षमताओं को प्रदर्शित करता है।

Hui Li, Yunfan Yang, Junquan Huang, Yukun Feng, Guobin Wang, Qinci Wu, Jun Deng, Zhaolong Liu, Subi Du, Dongliang Gong (…)2026-08-20
🔬 condensed matter

Finite-temperature Green's function cluster expansion from thermofield doubles: Breakdown of the polaron picture

यह शोधपत्र एक संख्यात्मक रूप से सटीक विधि जिसे 'फाइनाइट-टेम्परेचर ग्रीन्स फंक्शन क्लस्टर एक्सपेंशन' कहा जाता है, प्रस्तुत करता है, जो बिना समय विकास (टाइम इवोल्यूशन) या विश्लेषणात्मक निरंतरता (एनालिटिक कंटीन्यूएशन) की आवश्यकता के, परिमित तापमान पर संवेग- और आवृत्ति-विभेदित पोलारोन स्पेक्ट्रल फंक्शनों की गणना करने के लिए सामान्यीकृत क्लस्टर विस्तारों को थर्मोफील्ड डबल फॉर्मलिज्म के साथ जोड़ता है।

M. R. Carbone, S. Fomichev, B. Kloss, A. J. Millis, M. Berciu, D. R. Reichman, J. Sous2026-08-20
🔬 materials science

Interface-Controlled Spin-Orbit Torques in Rare-Earth Synthetic Ferrimagnets Probed by Sagnac Magneto-Optics and Harmonic Hall Measurements

यह अध्ययन यह प्रदर्शित करने के लिए पूरक सैग्नैक मैग्नेटो-ऑप्टिक्स और हार्मोनिक हॉल माप का उपयोग करता है कि Co/Gd-आधारित सिंथेटिक फेरिमैग्नेट्स में इंटरफ़ेस इंजीनियरिंग स्पिन-ऑर्बिट टॉर्क के सटीक परिमाणीकरण और अनुकूलन को सक्षम बनाती है, जो टॉर्क पीढ़ी में दुर्लभ-पृथ्वी परतों की सक्रिय भूमिका को प्रकट करती है और कम-शक्ति वाले करंट-प्रेरित चुंबकीय स्विचिंग को सुगम बनाती है।

Akilan K, Koral Aykin, Jose-Luis Ampuero, Laurent Badie, Stephane Mangin, Sébastien Petit-Watelot, Michel Hehn, Andrew D (…)2026-08-20
🔬 mesoscale physics

Isolating the natural edges of bilayer graphene in gate-defined mesoscopic devices

यह शोध पत्र बाइलेयर ग्राफीन के लिए एक ग्रेफाइट-गेटेड आर्किटेक्चर प्रस्तुत करता है जो सक्रिय डिवाइस को प्राकृतिक किनारों से पूरी तरह से अलग करता है, जिससे विस्केंद्रित सीमाओं वाले पूर्णतः इलेक्ट्रोस्टैटिक रूप से परिभाषित हॉल-बार्स और 2.5 × 10⁶ cm²/Vs की रिकॉर्ड-उच्च क्वांटम गतिशीलता वाले फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर का निर्माण संभव हो पाता है।

Francesco Blanda, Grazia Raciti, Thilo Glatzel, Aurin Strathmann, Fabrizio Volante, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, I (…)2026-08-20
🔬 condensed matter

Vesicle-surface-templated catalytic polymers drive differential growth in synthetic minimal cell variants

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि विभिन्न टेम्पलेट वेसिकल्स (vesicles), उत्प्रेरक पॉलिमर और एम्फीफाइल्स (amphiphiles) को व्यवस्थित रूप से संयोजित करके, शोधकर्ताओं ने विशिष्ट, संरचना-निर्भर विकास प्रतिक्रियाओं वाले सिंथेटिक न्यूनतम कोशिका वेरिएंट बनाए हैं जो एक बहु-आयामी फिटनेस परिदृश्य (fitness landscape) को मैप करते हैं, जिससे विकासशील, स्व-प्रजनन कृत्रिम कोशिकाओं की ओर एक भौतिक-रासायनिक मार्ग स्थापित होता है।

Minoru Kurisu, Taro Suzuki, Ryosuke Katayama, Kazuki Maruyama, Daisuke Unabara, Tasuku Hamaguchi, Koji Yonekura, Peter W (…)2026-08-20
🔬 materials science

Room-Temperature Polarity Control of the Anomalous Nernst Effect in a High-Magnetic-Anisotropy Topological Nodal-Line MnAlGe

यह अध्ययन Al/Ge संरचनात्मक ट्यूनिंग के माध्यम से उच्च-चुंबकीय-एनिसोट्रॉपी वाले MnAlGe पतली फिल्मों में विसंगत नेर्न्स्ट प्रभाव (anomalous Nernst effect) के कक्ष-तापमान ध्रुवीयता नियंत्रण को प्रदर्शित करता है, जो उप-जाली-चयनात्मक वाहक डोपिंग (sublattice-selective carrier doping) के माध्यम से आंतरिक बेरी वक्रता (intrinsic Berry curvature) को नियंत्रित करके व्यावहारिक उपकरणों में उन्नत थर्मोइलेक्ट्रिक आउटपुट को सक्षम बनाता है।

Nanhe Kumar Gupta, Keisuke Masudaa, Masaaki Kakoki, Benugopal Bairagya, Satoki Tazawaa, Weinan Zhoua, Hirofumi Sutoa, Ry (…)2026-08-20
🔬 materials science

Operando Raman probing of mode selective electron phonon coupling in two dimensional halide perovskites

ऑपेरैंडो रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी को डीएफटी (DFT) गणनाओं के साथ संयोजित करते हुए, यह अध्ययन प्रकट करता है कि लागू विद्युत क्षेत्र 2D हैलाइड पेरोव्स्काइट्स में हाइब्रिड कार्बनिक-अकार्बनिक कंपनों (vibrations) से जुड़े मोड-चयनात्मक इलेक्ट्रॉन-फोनन कपलिंग को प्रेरित करते हैं, जहाँ फ्लोरिनेशन वाहक-मध्यस्थ जाली प्रतिक्रियाओं (carrier-mediated lattice responses) को बढ़ाता है और संरचनात्मक क्रम पतली फिल्मों बनाम एकल क्रिस्टल में विपरीत फोनन जीवनकाल विकास (phonon lifetime evolutions) को निर्धारित करता है।

Tufan Paul, Helena Boom, Lilian Skokan, Viren Tyagi, Mostafa Shagar, Aditi Sahoo, Silvia Colella, Geert Brocks, Andreas (…)2026-08-20