3420 पेपर
यह अध्ययन रिकॉर्ड-निम्न प्रतिरोधकता वाली उच्च-गुणवत्ता वाली SrRuO3 (111) फिल्मों की वृद्धि की रिपोर्ट करता है, जो एक अंतर्निहित निम्न-स्पिन Ru ग्राउंड स्टेट को प्रकट करता है और यह प्रदर्शित करता है कि एपिटैक्सियल स्ट्रेन विसंगत हॉल प्रभाव (anomalous Hall effect) के अंतर्निहित और बाह्य तंत्रों के सापेक्ष योगदान को ट्यून कर सकता है।
यह शोध पत्र एक स्थिर संघनन स्रोत, तापीयकरण (thermalization), ट्यूनेबल फोटोआयनीकरण और यूनिवर्सल फाउलर फंक्शन का उपयोग करके स्वचालित डेटा विश्लेषण को संयोजित करके, एक बीम में तापमान-नियंत्रित क्षारीय धातु नैनोकणों के आयनीकरण ऊर्जा और कार्य फलक (work functions) निर्धारित करने के लिए एक अत्यधिक सटीक और कुशल प्रयोगात्मक विधि प्रस्तुत करता है।
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि 7–9 nm सोडियम और पोटेशियम नैनोकणों के उच्च-रिज़ॉल्यूशन फोटोआयनीकरण सीमा मापन (photoionization threshold measurements) तापीय विस्तार और एक विशिष्ट गलनांक संक्रमण का पता लगा सकते हैं, जो गिब्स-थॉमसन भविष्यवाणियों के अनुरूप लगभग 100 K के गलनांक दमन को प्रकट करता है।
मशीन लर्निंग इंटरएटोमिक पोटेंशियल और हाइब्रिड डेंसिटी फंक्शनल थ्योरी को संयोजित करके, यह अध्ययन पहचानता है कि अमोर्फस GeSbTe में इन-गैप स्टेट्स मुख्य रूप से 'रॉन्ग बॉन्ड्स' और विशिष्ट समन्वय विसंगतियों जैसे संरचनात्मक दोषों से उत्पन्न होते हैं, जो ग्लास एजिंग के दौरान कम हो जाते हैं, जिससे फेज चेंज मेमोरी डिवाइसेज में रेजिस्टेंस ड्रिफ्ट के तंत्र की व्याख्या होती है।
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि एक क्रायोजेनिक डुअल-गेटेड डायमंड-एनविल प्लेटफॉर्म के माध्यम से लागू हाइड्रोस्टेटिक दबाव, ट्विस्टेड बाइलेयर WSe2 में मोइरे पोटेंशियल (moiré potentials) को निरंतर बढ़ाता है ताकि स्टोनर फेरोमैग्नेटिज्म (Stoner ferromagnetism) को स्थिर किया जा सके और चेर्न इंसुलेटिंग अवस्थाओं (Chern insulating states) को सुदृढ़ किया जा सके, जबकि साथ ही यह एक दबाव-प्रेरित वैलेंस-बैंड स्विचिंग तंत्र के माध्यम से चेर्न इंसुलेटर से मोट इंसुलेटर (Mott insulator) में एक टोपोलॉजिकल चरण संक्रमण को भी संचालित करता है।
यह अध्ययन MoTe2/WSe2 मोइरे हेटरोबाइलेयर्स (moire heterobilayers) में दो क्रमिक विद्युत-क्षेत्र-संचालित टोपोलॉजिकल चरण परिवर्तनों के प्रयोगात्मक अवलोकन की रिपोर्ट करता है, जहाँ प्रणाली एक ज्यामितीय रूप से फ्रस्ट्रेटेड मॉट इंसुलेटर (geometrically frustrated Mott insulator) से एक फेरोमैग्नेटिक क्वांटम एनोमलस हॉल अवस्था (ferromagnetic quantum anomalous Hall state) और अंततः एक एंटीफेरोमैग्नेटिक वैली-कोहेरेंट इंसुलेटर (antiferromagnetic valley-coherent insulator) में विकसित होती है, जो सहसंबंध-टोपोलॉजी (correlation-topology) के परस्पर जुड़े भौतिकी के लिए एक ट्यूनेबल प्लेटफॉर्म को प्रदर्शित करती है।
यह अध्ययन Cs2AgBiBr6 डबल पेरोव्स्काइट सौर कोशिकाओं के लिए CeO2 और P3HT को इष्टतम चार्ज ट्रांसपोर्ट परतों के रूप में पहचानने के लिए एक व्यापक 3D परिमित-तत्व (फाइनाइट-एलिमेंट) ऑप्टिकल-इलेक्ट्रिकल सिमुलेशन का उपयोग करता है, जो 31.76% की सैद्धांतिक पावर कन्वर्जन दक्षता प्राप्त करता है और लीड-मुक्त फोटोवोल्टिक्स में दक्षता संबंधी बाधाओं को दूर करने के लिए एक प्रमुख रणनीति के रूप में 3D भौतिकी-आधारित डिवाइस इंजीनियरिंग का प्रदर्शन करता है।
यह अध्ययन ग्राफीन की गैर-स्थानीय (नॉनलोकल) नैनोस्केल चालकता को सीधे मापने और परिमाणित करने के लिए टेराहर्ट्ज़ स्कैटरिंग-प्रकार के नियर-फील्ड ऑप्टिकल माइक्रोस्कोपी का उपयोग करता है, जो यह प्रदर्शित करता है कि गैर-स्थानीय प्रभाव व्यावहारिक डिवाइस आयामों पर भी आवेश परिवहन को महत्वपूर्ण रूप से प्रभावित करते हैं और भविष्य के अति-सघन फोटोनिक एवं इलेक्ट्रॉनिक प्रणालियों को डिजाइन करने के लिए एक महत्वपूर्ण आधार स्थापित करते हैं।
यह अध्ययन उच्च-चालकता वाले क्यूबिक पेरोव्स्काइट धातुओं में निम्न-तापमान प्रतिरोधकता में इलेक्ट्रॉन-इलेक्ट्रॉन प्रकीर्णन योगदान को सफलतापूर्वक मॉडल और परिमाणित करने के लिए उच्च संख्यात्मक परिशुद्धता के साथ उन्नत DFT+DMFT पद्धतियों का उपयोग करता है, जो सहसंबंध-संचालित परिवहन घटनाओं को समझने के लिए एक भविष्य कहनेवाला उपकरण प्रदान करता है।
यह शोध पत्र एक मात्रात्मक मॉडल प्रस्तावित करता है जो यह सुझाव देता है कि अल्ट्रा हाई डोज़ रेट विकिरण जैविक ऊतकों में इलेक्ट्रॉन-होल लिक्विड के निर्माण को प्रेरित करता है, जो पुनर्संयोजन बाधाओं (recombination barriers) के माध्यम से हानिकारक प्रतिक्रियाशील प्रजातियों के उत्पादन को रोकता है, जिससे देखे गए ऊतक-बचाव प्रभाव (tissue-sparing effect) की व्याख्या होती है।