First principles study of chalcogen vacancy effect on the optoelectronic and photocatalytic properties of transition metal dichalcogenides monolayers
यह अध्ययन क्वांटम मैकेनिकल गणनाओं का उपयोग करके यह प्रदर्शित करता है कि ट्रांज़िशन मेटल डाइचैल्कोजेनाइड मोनोलेयर्स में चैल्कोजन रिक्तियां (chalcogen vacancies) बैंड गैप को कम करके और चार्ज सेपरेशन को सुगम बनाकर उनके ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक और फोटोकैटलिटिक प्रदर्शन को बढ़ाती हैं, जिससे इन दोषपूर्ण संरचनाओं को त्रुटिपूर्ण उत्पादों के बजाय हाइड्रोजन विकास, CO अपचयन और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों के लिए व्यवहार्य सामग्रियों के रूप में स्थापित किया जाता है।