Nanoscale graphitization and defect evolution in silicon-vacancy center-containing nanodiamonds under high-pressure high-temperature annealing
यह अध्ययन सिलिकॉन-वैकेंसी केंद्रों वाले नैनोडायमंड्स के लिए एक सटीक उच्च-दबाव उच्च-तापमान प्रसंस्करण विंडो स्थापित करने हेतु इन सीटू सिनक्रोट्रॉन एक्स-रे विवर्तन का उपयोग करता है, जो विशिष्ट ग्रेफाइटाइजेशन थ्रेसहोल्ड की पहचान करता है जो चरण परिवर्तन (फेज ट्रांसफॉर्मेशन) को प्रेरित किए बिना ऑप्टिकल गुणों में सुधार के लिए स्ट्रेन-रिलिविंग एनीलिंग को सक्षम बनाता है।