Atomic Scale Ordering of Sulfur Vacancies Enhances Charge Transport in Monolayer MoS
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि मोनोलेयर MoS के भीतर सल्फर रिक्तियों (sulfur vacancies) को एक आवधिक पैटर्न (periodic pattern) में व्यवस्थित करने से स्थानीयकृत दोष अवस्थाएँ (localized defect states) एक विसरित मिनीबैंड (dispersive miniband) में बदल जाती हैं, जिससे यादृच्छिक वितरण की तुलना में चार्ज परिवहन में पांच गुना अधिक वृद्धि होती है और अत्यधिक दोषपूर्ण अर्धचालकों में भी उच्च चालकता सक्षम होती है।