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4705 पेपर

🔬 मेसोस्केल भौतिकी

Realization of Very High Mobility InAs Quantum Wells on InP Substrates Through Convex InAlAs Graded Buffer Optimization

यह शोध पत्र एक InAlAs मेटामॉर्फिक बफर में एक उत्तल संरचनात्मक ग्रेडिंग प्रोफाइल (convex compositional grading profile) को अनुकूलित करके, इन्सुलेटिंग InP सबस्ट्रेट्स पर उगाए गए InAs क्वांटम वेल्स में 1.7×1061.7\times10^6 cm2^2 V−1^{-1} s−1^{-1} से अधिक की रिकॉर्ड-तोड़ निम्न-तापमान इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (low-temperature electron mobility) की उपलब्धि की रिपोर्ट करता है, जिससे गा-मुक्त (Ga-free) मोटी परतें संभव हो पाती हैं जो टोपोलॉजिकल सुपरकंडक्टिविटी अनुसंधान के लिए आदर्श हैं।

Tyler Lindemann, Rojila Ghimire, Alejandro Alcaraz Ramirez, Ahmad Azizimanesh, Sergei Gronin, Ray Kallaher, Michael J. M (…)2026-09-25
🔬 सामग्री विज्ञान

Magnetostrictive properties in Fe4−x_{4-x}Cox_{x}N films: Insight from experiments and first-principles calculations

यह अध्ययन Fe4−x_{4-x}Cox_{x}N फिल्मों के मैग्नेटोस्ट्रिक्टिव गुणों को स्पष्ट करने के लिए मॉलिक्यूलर बीम एपिटैक्सी प्रयोगों और प्रथम-सिद्धांत गणनाओं (first-principles calculations) को संयोजित करता है, जो λ{\lambda}100_{100} स्थिरांक में विशाल ट्यूनेबिलिटी और चिह्न परिवर्तन (sign reversal) को प्रकट करता है और साथ ही परमाणु विकार (atomic disorder) के प्रति सैद्धांतिक भविष्यवाणियों की संवेदनशीलता को उजागर करता है तथा स्पिंट्रोनिक डिवाइस डिजाइन के लिए आवश्यक पैरामीटर प्रदान करता है।

Huameng Yu, Keita Ito, Shoya Sakamoto, Ivan Kurniawan, Yoshio Miura, Yasushi Endo, Takeshi Seki2026-09-25
🔬 सामग्री विज्ञान

Influence of chemical vapor deposition conditions on N incorporation ratio on vicinal 4H-SiC(000-1) surface: Ab Initio-based approach

यह अध्ययन 1.0 और 1.5 के बीच C/Si अनुपातों पर विकिनल (vicinal) 4H-SiC(000-1) C-फेसों पर नाइट्रोजन समावेशन में होने वाली असंतत वृद्धि की व्याख्या करने के लिए एक अब इनिशियो (ab initio)-आधारित दृष्टिकोण का उपयोग करता है, जो स्थिर Si-समाप्त से C-H-समाप्त स्टेप किनारों (step edges) में संक्रमण का परिणाम है, जो कम नाइट्रोजन प्रतिस्थापन ऊर्जा प्रदान करते हैं।

Wataru Ota, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Keisuke Kurashima, Ichiro Mizushima, Kenji Shiraishi2026-09-25
🔬 सामग्री विज्ञान

Beyond the Kagome Layer: Interlayer Origin of the Flat Band in FeSn

यह अध्ययन प्रकट करता है कि FeSn में व्याप्त फ्लैट बैंड (flat band) पृथक कागोम परतों (kagome layers) से नहीं, बल्कि पड़ोसी परतों के बीच इंटरलेयर एंटीबोंडिंग कपलिंग (interlayer antibonding coupling) से उत्पन्न होता है, जो कागोम क्वांटम सामग्रियों में फ्लैट बैंड को उत्पन्न करने और ट्यून करने के लिए इंटरलेयर इलेक्ट्रॉनिक इंटरैक्शन और मैग्नेटिक स्टैकिंग को महत्वपूर्ण कारकों के रूप में स्थापित करता है।

Shimin Zhang, Bipasa Samanta, Ho Viet Thang, Alexandru B. Georgescu2026-09-25
🔬 सामग्री विज्ञान

Frustrated junctions in interfacial networks

यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि त्रि-आयामी अंतराफलकीय नेटवर्कों में, ट्रिपल लाइनों के लिए शास्त्रीय हेरिंग स्थिति (Herring condition) क्वाड्रुपल नोड्स पर स्थानीय साम्यावस्था सुनिश्चित करने के लिए अपर्याप्त है, जो एक छिपे हुए ज्यामितीय प्रतिबंध को प्रकट करता है जहाँ निराशा (frustration) से बचने के लिए छह अंतराफलकीय ऊर्जाओं को एक गैर-अपभ्रंश चतुष्फलक (non-degenerate tetrahedron) के किनारों का निर्माण करना चाहिए।

Håkan Hallberg, Vasily V. Bulatov, Bryan W. Reed, Mukul Kumar2026-09-25
🔬 सामग्री विज्ञान

Electric Current-Driven Microstructural Evolution in SrTiO3

यह अध्ययन प्रकट करता है कि पॉलीक्रिस्टलाइन SrTiO3 पर पर्याप्त विद्युत धारा प्रवाहित करने से एक फ्लैश घटना और क्षेत्र-चालित (field-driven) तत्व पुनर्वितरण एवं रेडॉक्स-मॉड्यूलेटेड दोष गतिशीलता के माध्यम से एक प्रवास करने वाले Sr-समृद्ध बेल्ट का निर्माण होता है, जो एनोड के पास रैखिक विकास गतिकी और तेज़ गति से चलने वाली, Sr-समृद्ध, ऑक्सीजन-विहीन ग्रेन बाउंड्रीज़ के साथ असामान्य दानों को जन्म देता है।

Jingjing Yang, Jian Luo2026-09-25
🔬 सामग्री विज्ञान

Combining physical models with dynamically acquired experimental information for the optimization of multicomponent NASICON fast ionic conductors in a self-driving laboratory

यह शोध पत्र एक लागत-निर्देशित स्वायत्त ठोस-अवस्था संश्लेषण (CASS) ढांचे को प्रस्तुत करता है जो बहु-घटक NASICON फास्ट आयनिक कंडक्टर्स को कुशलतापूर्वक अनुकूलित करने के लिए भौतिक मॉडलों को गतिशील रूप से प्राप्त प्रयोगात्मक डेटा के साथ एकीकृत करता है, और एक स्वायत्त प्रयोगशाला परिवेश में उत्कृष्ट आयनिक चालकता और चरण शुद्धता वाले उच्च-प्रदर्शन वाले संरचनाओं की सफलतापूर्वक पहचान करता है।

Bernardus Rendy, Yuxing Fei, Tanjin He, Xiaochen Yang, Andrea Giunto, Lauren N. Walters, David Milsted, Hao Qiu, Matthew (…)2026-09-25
🔬 सामग्री विज्ञान

Hamiltonian learning reveals optoelectronic mechanisms across thermodynamic state space in soft semiconductors

यह शोध पत्र FLOW-OTTER को प्रस्तुत करता है, जो एक मॉड्यूलर फ्रेमवर्क है जो हैलाइड पेरोव्स्काइट्स जैसे सॉफ्ट सेमीकंडक्टर्स के तापमान- और दबाव-निर्भर ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक तंत्रों की भविष्यवाणी करने और व्याख्या करने के लिए प्रथम-सिद्धांत डेटा (first-principles data) से सीधे मशीन-लर्निंग फोर्स फील्ड्स और हैमिल्टोनियन मॉडल्स के एकीकरण को स्वचालित करता है।

Frederik Vonhoff, Jesper R. Pedersen, Frederico P. Delgado, Martin Schwade, Peter Beck, Jonas A. Oldenstaedt, Ivano E. C (…)2026-09-25
🔬 सामग्री विज्ञान

Equation of state and transport coefficients of warm dense aluminum from mixed deterministic-stochastic density functional theory

मिश्रित नियतात्मक-स्टोकेस्टिक परिमित-ताप घनत्व कार्यात्मक सिद्धांत (mixed deterministic-stochastic finite-temperature density functional theory) का उपयोग करते हुए, यह अध्ययन 1000 eV तक गर्म सघन एल्युमीनियम के समीकरण अवस्था (equation of state) और परिवहन गुणांकों की गणना करता है, जो मौजूदा मॉडल-आधारित भविष्यवाणियों से महत्वपूर्ण विचलन प्रकट करता है जो विकिरण-हाइड्रोडायनामिक्स सिमुलेशन के लिए महत्वपूर्ण सुधार प्रदान करता है।

Zi Li, Weijie Li, Cong Wang, Ping Zhang, Xianjue Peng2026-09-25
🔬 मेसोस्केल भौतिकी

Nodal-Line Semimetals with Non-Quantized Berry Phase

यह शोध पत्र नोडल-लाइन सेमीमेटल्स (nodal-line semimetals) के एक नए वर्ग का प्रस्ताव करता है जो गैर-क्वांटाइज्ड बेरी फेजेस (non-quantized Berry phases) द्वारा अभिलक्षित है, जो लैंडौ लेवल स्प्लिटिंग (Landau level splitting) और अद्वितीय सतह अवस्था स्थानीयकरण (surface state localization) को प्रेरित करते हैं, जिससे इन सामग्रियों के पारंपरिक टोपोलॉजिकल ढांचे का विस्तार होता है।

Zhi-Xia Li, Liangliang Huang, Min-Xue Yang, Feng Tang, D. Y. Xing, Wei Chen2026-09-25