Low-resistivity nitrogen-doped p-type Cu2O thin films enabled by millisecond flash lamp annealing
एक विशिष्ट निम्न-ऊर्जा घनत्व (4.9 J cm⁻²) पर मिलीसेकंड फ्लैश लैंप एनीलिंग, नाइट्रोजन-डोप्ड p-प्रकार की Cu₂O पतली फिल्मों के प्रतिरोधकता को गतिशीलता (mobility) बढ़ाकर 0.045 Ωcm तक काफी कम कर देती है, जबकि उच्च ऊर्जा घनत्व ऑप्टिकल बैंड गैप को चौड़ा करने के बावजूद विद्युत चालकता को खराब कर देते हैं।