Orbital-Selective Mott Transition and Correlation-Amplified Charge Ordering in the Altermagnet CsCrSO
DFT+DMFT गणनाओं का उपयोग करते हुए, यह अध्ययन प्रकट करता है कि अल्टरमैग्नेट CsCrSO में, गतिशील इलेक्ट्रॉनिक सहसंबंध (dynamical electronic correlations) एक ऑर्बिटल-सिलेक्टिव मोट संक्रमण (orbital-selective Mott transition) और धातु-से-अचालक संक्रमण (metal-to-insulator transition) को संचालित करने के लिए सूक्ष्म लिगैंड-प्रेरित आवेश विषमताओं को अत्यधिक बढ़ा देते हैं, जो एक ऐसी प्रक्रिया है जिसे सल्फर को टेल्यूरियम द्वारा प्रतिस्थापित करने पर कमजोर सहसंबंधों के कारण दबा दिया जाता है।