cond-mat.mtrl-sci पेपर

Device Engineering and Performance Optimization of Cu2NiGeS4 Thin-Film Solar Cells with In2S3/MoTe2 Charge-Selective Layers: A Computational Study

यह कम्प्यूटेशनल अध्ययन SCAPS-1D सिमुलेशन का उपयोग करके यह प्रदर्शित करता है कि In2S3 और MoTe2 को चार्ज-सेलेक्टिव परतों के रूप में शामिल करने वाला एक Cu2S4 पतला-फिल्म सौर सेल, डिवाइस मापदंडों के व्यवस्थित अनुकूलन के माध्यम से 28.44% की अनुमानित शक्ति रूपांतरण दक्षता प्राप्त कर सकता है, जो पिछले रिपोर्ट किए गए प्रदर्शन स्तरों से काफी अधिक है।

Md Tashfiq Bin Kashem, Hasib Md Abid Bin Farid2026-09-11

🔬 मेसोस्केल भौतिकी

Piezomagnetism in a model cubic noncollinear altermagnet

यह अध्ययन डिलाटोमेट्री और न्यूक्लियर मैग्नेटिक रेजोनेंस मापन के संयोजन के माध्यम से एक बड़ा पीज़ोमैग्नेटिक रिस्पॉन्स प्रदर्शित करके MnTe2 को एक मॉडल क्यूबिक नॉनकोलिनियर अल्टरमैग्नेट के रूप में पहचानता है, जो जाली तनाव (लैटिस स्ट्रेन) और चुंबकीय आघूर्ण के बीच एक रैखिक युग्मन को प्रकट करता है जो सैद्धांतिक भविष्यवाणियों के अनुरूप है।

Sudarshan Sharma, Luca Buiarelli, Richard Spieker, Ivan Jakovac, Damjan Pelc, Turan Birol, Martin Greven2026-09-11

🔬 सामग्री विज्ञान

High-Temperature ferromagnetism from site-selective filling in (Fe,Ni) $_{6-\delta}$ GeTe $_2$

यह अध्ययन प्रकट करता है कि (Fe,Ni) $_{6-\delta}$ GeTe $_2$ में 478 K का रिकॉर्ड-उच्च क्यूरी तापमान सजातीय निकेल प्रतिस्थापन से नहीं, बल्कि स्वतः निर्मित स्ट्रेन-स्थिर, निकेल-मुक्त Fe $_6$ GeTe $_2$ नैनो-अवक्षेपों के निर्माण से उत्पन्न होता है जो एक अद्वितीय इलेक्ट्रॉनिक परिदृश्य को समाहित करते हैं जिसमें स्थानीयकृत क्षण (localized moments) और स्पिन-ध्रुवीकृत इटिनरेंट वाहक (spin-polarized itinerant carriers) दोनों शामिल हैं।

Tyler L. Werner (Department of Applied Physics, Yale University, New Haven, USA), Jonathan T. Reichanadter (Department o (…)2026-09-11

🔬 सामग्री विज्ञान

Effective Ionic Valence and Local Magnetic Moment in Kagome Superconductors

यह शोध पत्र प्रस्तावित करता है कि कागोमे सुपरकंडक्टर्स AV $_3$ Sb $_5$ और ATi $_3$ Bi $_5$ में समान वाहक घनत्व (carrier densities) वाले 2+ संयोजकता आयन (valence ions) मौजूद हैं, लेकिन उनके क्वांटम उतार-चढ़ाव वाले चुंबकीय क्षण (quantum fluctuating magnetic moments) भिन्न हैं, जो एक ऐसा निष्कर्ष है जिसे गैर-चुंबकीय Sn अशुद्धियों को शामिल करने पर देखी गई बढ़ी हुई चुंबकीय संवेदनशीलता द्वारा प्रयोगात्मक रूप से पुष्ट किया गया है जो ज्यामितीय अवरोध (geometric frustration) को कम करती हैं।

Ruoshi Jiang, Zi-Jian Lang, Yuzki Oey, Andrea Capa Salinas, Stephen D. Wilson, Yongwei Li, Ilya Shipulin, Yiwen Zhang, D (…)2026-09-11

🔬 सामग्री विज्ञान

Tuning the topological winding number by rolling up graphene

यह अध्ययन सैद्धांतिक रूप से प्रदर्शित करता है कि ग्राफीन को N-टर्न नैनोस्क्रॉल में रोल करना और एक अनुदैर्ध्य चुंबकीय क्षेत्र लागू करना एक ट्यूनेबल टोपोलॉजिकल वाइंडिंग नंबर को सक्रिय करके चालकता (कंडक्टेंस) के सटीक N-गुना संवर्धन को सक्षम बनाता है, जिससे ज्यामितीय हेरफेर के माध्यम से कस्टम टोपोलॉजिकल सामग्रियों को डिजाइन करने का एक नया मार्ग प्रशस्त होता है।

Ying-Je Lee, Yu-An Cheng, Yu-Jie Zhong, Ion Cosma Fulga, Ching-Hao Chang2026-09-10

🔬 सामग्री विज्ञान

Magnetoconductance evolution across the topological-trivial phase transition in ${In_{x}}({Bi_{0.3}}{Sb_{0.7}})_{2-x}{Te_3}$ thin films

यह अध्ययन एक टोपोलॉजिकल-टू-ट्रिवियल (topological-to-trivial) चरण संक्रमण और एक आगामी विकार-प्रेरित स्थानीयकरण क्रॉसओवर (disorder-driven localization crossover) के माध्यम से ${\rm In}_{x}({\rm Bi}_{0.3}{\rm Sb}_{0.7})_{2-x}{\rm Te}_3$ पतली फिल्मों में मैग्नेटोकंडक्टेंस विकास का व्यवस्थित रूप से मानचित्रण करता है, जो कमजोर एंटीलोकलाइजेशन (weak antilocalization) से इनकोहेरेंट हॉपिंग तंत्र (incoherent hopping mechanisms) द्वारा नियंत्रित धनात्मक कक्षीय मैग्नेटोकंडक्टेंस (positive orbital magnetoconductance) की ओर एक स्पष्ट बदलाव को प्रकट करता है।

Sambhu G Nath, Subhadip Manna, Kanav Sharma, Amar Verma, Ritam Banerjee, R K Gopal, Chiranjib Mitra2026-09-10

🔬 सामग्री विज्ञान

A Structural Map of Potential Correlated Electron Molecular Orbital Materials

यह शोध पत्र एक व्यापक ढांचे को प्रस्तुत करता है, जिसमें वर्गीकरण मानदंड, एक डेटाबेस और उच्च-थ्रूपुट स्क्रीनिंग उपकरण शामिल हैं, जो सहसंबंधित इलेक्ट्रॉन आणविक कक्षक (correlated electron molecular orbital) सामग्रियों की व्यवस्थित रूप से पहचान और विश्लेषण करने के लिए है, जिससे यह प्रकट होता है कि उनकी उभरती हुई इलेक्ट्रॉनिक अवस्थाएं केवल क्लस्टर रूपांकनों (cluster motifs) के बजाय इलेक्ट्रॉन गणना, समरूपता, हताशा (frustration) और सहसंबंध शक्ति के एक जटिल परस्पर प्रभाव से उत्पन्न होती हैं।

Md. Rajbanul Akhond, Alexandru B. Georgescu2026-09-10

🔬 सामग्री विज्ञान

Quantum-classical correspondence for spins at finite temperatures: theory and applications

यह शोध पत्र परिमित तापमान पर परस्पर क्रिया करने वाले स्पिन प्रणालियों के लिए एक कठोर क्वांटम-टू-क्लासिकल मैपिंग स्थापित करता है, जो यह प्रदर्शित करता है कि $\sqrt{S(S+1)}$ की प्रभावी स्पिन लंबाई के साथ शास्त्रीय मोंटे कार्लो सिमुलेशन, अग्रणी-क्रम क्वांटम सुधारों को शामिल करके, वास्तविक सामग्रियों में चुंबकीय संक्रमण तापमान और संवेदनशीलता की सटीक भविष्यवाणी करते हैं।

A. El Mendili, M. E. Zhitomirsky2026-09-10

🔬 सामग्री विज्ञान

The Double Measurement Confound in Agent Benchmarks: De-Scaffolding, Ground-Truth Scoring, and Reliability Beyond the Mean

यह शोध पत्र LLM एजेंट बेंचमार्क में एक "दोहरा मापन भ्रम" (double measurement confound) की पहचान करता है जहाँ स्थिर स्कैफोल्ड्स और त्रुटिपूर्ण स्कोरर मॉडल की वास्तविक क्षमता को अस्पष्ट कर देते हैं, और एक मापन-सैद्धांतिक ढांचे का प्रस्ताव करता है जिसमें ऑडिट-एंड-रिपेयर प्रोटोकॉल शामिल है ताकि निष्पादन नियंत्रण को मॉडलों को स्थानांतरित किया जा सके, ग्राउंड-ट्रुथ स्कोरिंग लागू की जा सके, और माध्य (mean) से परे विश्वसनीयता मेट्रिक्स रिपोर्ट किए जा सकें।

Yonghong Zhang, Shadi Motaali, Vu Phong Dinh, Avin Piroutiniya, Jorge E. López de Vergara, Luis de Pedro, Ricardo Correi (…)2026-09-10

🔬 सामग्री विज्ञान

Phase stability and mechanical response of Ag-interlayered Al/Cu resistance spot-welded joints

यह अध्ययन एक व्यापक कम्प्यूटेशनल और प्रयोगात्मक ढांचा स्थापित करता है जो यह प्रदर्शित करता है कि Al/Cu रेजिस्टेंस स्पॉट वेल्डिंग में एक Ag इंटरलेयर को शामिल करने से भंगुर (brittle) Al-Cu इंटरमेटालिक यौगिकों के बजाय लचीले (ductile) Al-Ag सॉलिड सॉल्यूशंस का निर्माण होता है, जिससे जोड़ की यांत्रिक शक्ति में उल्लेखनीय वृद्धि होती है और तर्कसंगत इंटरलेयर चयन के लिए एक भविष्य कहनेवाला मॉडल प्रदान होता है।

Shuang Lin, Kyubok Lee, Jiahui Ye, Ho Kwon, Shun-Li Shang, Allison M. Beesea, Xun Liu, Jingjing Li, Zi-Kui Liu2026-09-10

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Device Engineering and Performance Optimization of Cu2NiGeS4 Thin-Film Solar Cells with In2S3/MoTe2 Charge-Selective Layers: A Computational Study

Piezomagnetism in a model cubic noncollinear altermagnet

High-Temperature ferromagnetism from site-selective filling in (Fe,Ni)6−δ_{6-\delta}6−δ​GeTe2_22​

Effective Ionic Valence and Local Magnetic Moment in Kagome Superconductors

Tuning the topological winding number by rolling up graphene

Magnetoconductance evolution across the topological-trivial phase transition in Inx(Bi0.3Sb0.7)2−xTe3{In_{x}}({Bi_{0.3}}{Sb_{0.7}})_{2-x}{Te_3}Inx​(Bi0.3​Sb0.7​)2−x​Te3​ thin films

A Structural Map of Potential Correlated Electron Molecular Orbital Materials

Quantum-classical correspondence for spins at finite temperatures: theory and applications

The Double Measurement Confound in Agent Benchmarks: De-Scaffolding, Ground-Truth Scoring, and Reliability Beyond the Mean

Phase stability and mechanical response of Ag-interlayered Al/Cu resistance spot-welded joints

High-Temperature ferromagnetism from site-selective filling in (Fe,Ni) $_{6-\delta}$ GeTe $_2$

Magnetoconductance evolution across the topological-trivial phase transition in ${In_{x}}({Bi_{0.3}}{Sb_{0.7}})_{2-x}{Te_3}$ thin films