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यह शोध पत्र डीएनए-आधारित सॉफ्ट मैटर फ्लूइड्स के डिज़ाइन स्पेस को कुशलतापूर्वक मैप करने के लिए कोर्स-ग्रेन्ड सिमुलेशन, प्रयोगात्मक रियोलॉजी और मशीन लर्निंग को संयोजित करने वाले एक सहक्रियात्मक ढांचे को प्रस्तुत करता है, जो अनुकूलित बल्क रियोलॉजिकल गुणों वाले पदार्थों की तर्कसंगत और त्वरित खोज को सक्षम बनाता है।
यह अध्ययन (Cs/FA)Pb(Br/I)₃ और (Cs/FA)Sn(Br/I)₃ पेरोव्स्काइट मिश्र धातुओं की ऊष्मागतिक स्थिरता (thermodynamic stability) को मैप करने के लिए ग्राफ न्यूरल नेटवर्क पोटेंशियल और डायरेक्ट एनर्जी प्रेडिक्टर्स को संयोजित करने वाली एक द्वि-स्तरीय मशीन लर्निंग रणनीति का उपयोग करता है, जो यह प्रकट करता है कि Sn-आधारित प्रणालियों में Pb-आधारित प्रणालियों की तुलना में संकीर्ण स्थिर संरचना क्षेत्र होते हैं और अधिकतम स्थिरता उच्च आयोडीन सामग्री पर होती है।
यह शोध पत्र प्रस्तावित करता है और सैद्धांतिक रूप से प्रदर्शित करता है कि कोलीनियर (collinear) एंटीफेरोमैग्नेटिक सेमीकंडक्टर्स में संतुलन अक्ष के पास चुंबकीय प्रीसेशन (magnetic precession), हेटरोजंक्शनों की आवश्यकता के बिना, समान (uniform) और स्टैगर्ड (staggered) दोनों प्रकार के स्पिन ध्रुवीकरण उत्पन्न कर सकता है, और ये प्रतिक्रियाएं इलेक्ट्रिक गेट फील्ड्स और फ्लोकेट लाइट-ड्रेसिंग (Floquet light-dressing) के माध्यम से नियंत्रणीय हैं।
यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि शेप-मेमोरी अलॉय-पॉलिमर कंपोजिट छड़ें हिस्टेरेटिक ध्वनिक बैंड संरचनाएं प्रदर्शित करती हैं, जहाँ सामग्री के थर्मल हिस्टेरेसिस के कारण स्टॉप-बैंड किनारे और ट्रांसमिशन स्पेक्ट्रा तापमान-आवृत्ति तल में बंद लूप बनाते हैं, जबकि स्पेक्ट्रल हिस्टेरेसिस की चौड़ाई को ज्यामितीय फिलिंग अंश को समायोजित करके और अधिक ट्यून किया जा सकता है।
यह अध्ययन रिएक्टिव स्पटरिंग और अमोनिया एनीलिंग के माध्यम से लेयर्ड टर्नरी आयरन नाइट्राइड थिन फिल्म्स (FeWN₂ और FeMoN₂) के सफल संरचना-निर्भर संश्लेषण की रिपोर्ट करता है, जो स्पष्ट संरचनात्मक अनुकूलन तंत्रों और संरचना, सूक्ष्म संरचना तथा इलेक्ट्रॉनिक/चुंबकीय गुणों के बीच मजबूत युग्मन को प्रकट करता है जो टंगस्टन और मोलिब्डेनम प्रणालियों के बीच काफी भिन्न हैं।
यह शोध पत्र एक ऑपरेटर-स्तरीय फैक्टोरियल बेंचमार्क प्रस्तुत करता है जो आणविक MPNNs को विशिष्ट मैसेज-सीड (message-seed), फ्यूजन (fusion) और अपडेट (update) घटकों में विभाजित करता है, जिससे यह प्रकट होता है कि मैसेज निर्माण—विशेष रूप से कॉनकैटिनेशन-आधारित नोड-एज फ्यूजन—प्रदर्शन का प्राथमिक चालक है, जिससे लक्षित डिज़ाइन ह्यूरिस्टिक्स (heuristics) प्राप्त होते हैं जो मोनोलिथिक आर्किटेक्चर खोजों से बेहतर प्रदर्शन करते हैं।
यह अध्ययन रेजोनेंट इनइलास्टिक एक्स-रे स्कैटरिंग और प्रथम-सिद्धांत गणनाओं (फर्स्ट-प्रिंसिपल्स कैलकुलेशन) का उपयोग करके FeSb2 को एक आणविक कक्षक कोंडो इंसुलेटर के रूप में पहचानता है, जिससे यह प्रदर्शित होता है कि संकरित (हाइब्रिडाइज्ड) Fe d-Sb p आणविक कक्षक एक मिश्रित-कॉन्फ़िगरेशन ग्राउंड स्टेट और प्रसारित होने वाले सामूहिक मोड (प्रोपगेटिंग कलेक्टिव मोड्स) का निर्माण करते हैं, जो उच्च-तापमान कोंडो मेनी-बॉडी अवस्थाओं के इंजीनियरिंग के लिए एक नया प्रतिमान प्रस्तुत करता है।
यह अध्ययन यह प्रदर्शित करने के लिए क्षेत्र-चयनात्मक कोण-विभेदित फोटोइलेक्ट्रॉन उत्सर्जन स्पेक्ट्रोस्कोपी (area-selective angle-resolved photoemission spectroscopy) का उपयोग करता है कि 4Hb-TaS₂ सुपरलैटिस में इंटरलेयर कपलिंग, काइरल "विंडमिल" फर्मी सतहों, कोंडो-जैसे शिखरों (Kondo-like peaks), और विशिष्ट आवेश क्रमों (charge orders) के निर्माण को संचालित करती है, जिससे इसके उभरते सहसंबद्ध इलेक्ट्रॉनिक अवस्थाओं की व्याख्या करने के लिए प्रतिस्पर्धी कोंडो और मोट-हबार्ड मॉडलों के बीच सामंजस्य स्थापित होता है।
यह शोध पत्र एक एकीकृत सैद्धांतिक ढांचे को प्रस्तुत करता है जो यह वर्णन करता है कि कैसे बल्क सामग्रियों और सतहों के साथ विद्युत चुम्बकीय अंतःक्रियाएं मुक्त-इलेक्ट्रॉन डिकोहेरेंस (free-electron decoherence) को प्रेरित करती हैं, प्लास्मोन और बैंड-गैप उत्तेजनाओं जैसे सामग्री-विशिष्ट तंत्रों की पहचान करती है, और यह भी प्रदर्शित करती है कि कैसे परिणामी तापमान-निर्भर प्रभावों का उपयोग नैनोस्केल थर्मोमेट्री के लिए किया जा सकता है।
CrSb और संबंधित मॉडलों पर DFT गणनाओं और सममिति विश्लेषण (symmetry analysis) का उपयोग करते हुए, यह अध्ययन प्रकट करता है कि रिक्ति इंजीनियरिंग (vacancy engineering), डोपिंग या स्ट्रेन के माध्यम से छह-गुना से दो-गुना घूर्णी सममिति को कम करने से बैंड-विशिष्ट खंडित नोडल वक्र (fragmented nodal curves) उत्पन्न होते हैं और ट्यूनेबल विसंगत हॉल चालकता (anomalous Hall conductivity) सक्षम होती है, जिससे भविष्य के क्वांटम उपकरणों के लिए अल्टरमैग्नेट्स (altermagnets) की क्षमता का विस्तार होता है।