Thermal response of an in-situ STEM MEMS chip under rapid pulse heating
यह शोध पत्र एक इन-सीटू (in-situ) STEM सेटअप में रैपिड पल्स हीटिंग के तहत एक अनकोटेड (uncoated) Protochips Fusion MEMS चिप की थर्मल प्रतिक्रिया को अभिलक्षित करता है, जो उच्च-गति ठोसकरण प्रयोगों के लिए व्यावहारिक थर्मल सीमाओं को स्थापित करने हेतु 1.80 ms का कूलिंग टाइम कांस्टेंट और लगभग K/s की औसत कूलिंग दर को प्रकट करता है।