Silicon Nitride (Si3N4) as a CMOS Gate Dielectric: A Critical Review With Quantitative Meta-Analysis of Equivalent Oxide Thickness Scaling, Nitrogen Stoichiometry Control, and Reliability Across Technology Nodes (250nm to 3nm)
यह शोध पत्र 250 nm से 3 nm तक के टेक्नोलॉजी नोड्स में CMOS गेट डाइइलेक्ट्रिक के रूप में सिलिकॉन नाइट्राइड (Si3N4) का पहला मात्रात्मक मेटा-विश्लेषण प्रस्तुत करता है, जो एक सार्वभौमिक स्केलिंग फ्रेमवर्क स्थापित करता है और विशिष्ट सामग्री-विशिष्ट विश्वसनीयता भौतिकी की पहचान करता है जो Si3N4 को उन्नत गेट स्टैक, मेमोरी और फोटोनिक अनुप्रयोगों के लिए एक महत्वपूर्ण, पुनरुत्थानशील घटक के रूप में स्थापित करती है।