Lateral Epitaxy Suppresses Self-Trapped Excitons in 2D perovskites
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि PEA2PbCl4 और Sn-एलयोड (alloyed) PEA2Pb1-xSnxBr4 के बीच पार्श्व एपिटैक्सियल हेटरोस्ट्रक्चर (lateral epitaxial heterostructures) का निर्माण जाली (lattice) को यांत्रिक रूप से स्थिर करके और कुशल इंटरफेशियल ऊर्जा हस्तांतरण को सुगम बनाकर स्व-ट्रैप्ड एक्सिटोन उत्सर्जन (self-trapped exciton emission) को दबाता है और वाहक गतिशीलता (carrier mobility) को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाता है।