Amorphous High-κ Dielectrics for Top-Gate Integration in 2D Semiconductor Transistors
यह शोध पत्र मैग्नेट्रॉन स्पटरिंग और वैन डेर वाल्स ट्रांसफर को संयोजित करने वाली एक कमरे के तापमान वाली फैब्रिकेशन रणनीति प्रस्तुत करता है ताकि 2D अर्धचालकों पर क्षति-मुक्त अमोर्फस हाई-κ डाइइलेक्ट्रिक्स को एकीकृत किया जा सके, जो उत्कृष्ट विद्युत प्रदर्शन वाले टॉप-गेट MoS2 ट्रांजिस्टर को सक्षम बनाता है, जिसमें नियर-बोल्ट्ज़मैन-लिमिट सबथ्रेशोल्ड स्विंग और उच्च ऑन/ऑफ अनुपात शामिल हैं।