Minimal-process CMOS-compatible resistive switches with intrinsic analog plasticity via oxygen implantation in Si
यह शोध पत्र सिलिकॉन में सीधे ऑक्सीजन को इंप्लांट करके नियंत्रित गैर-स्टोइकोमेट्रिक (nonstoichiometric) SiOₓ परतों को बनाने के माध्यम से, न्यूरोमॉर्फिक अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त ऑक्सीजन-वैकेंसी-संचालित स्विचिंग और संचयी दोष पुनर्गठन (cumulative defect reorganization) प्रदर्शित करने वाले स्थिर रेसिस्टिव स्विचों को निर्मित करने के लिए एक न्यूनतम-प्रक्रिया, CMOS-संगत दृष्टिकोण को प्रदर्शित करता है।