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यह अध्ययन यह प्रदर्शित करने के लिए SCAPS-1D संख्यात्मक सिमुलेशन का उपयोग करता है कि अनुकूलित परत की मोटाई और बैंड संरेखण के माध्यम से FeSi₂-संचालित SnS-आधारित पतली फिल्म सौर सेल 25.06% की अधिकतम दक्षता प्राप्त कर सकते हैं, जबकि यह भी प्रकट करता है कि उनका प्रदर्शन तापीय रूप से सक्रिय इंटरफ़ेस पुनर्संयोजन और उथले ट्रैप अवस्थाओं द्वारा महत्वपूर्ण रूप से सीमित है।
यह शोध पत्र शोरयुक्त एनकोडिंग-डिकोडिंग क्वांटम सर्किट में सूचना स्क्रेम्बलिंग (information scrambling) की जांच करता है, जो बीजगणितीय आउट-ऑफ-टाइम-ऑर्डर कोरिलेटर (algebraic out-of-time-order correlator) के लिए एक विश्लेषणात्मक व्यंजक व्युत्पन्न करता है जो एक "बटरफ्लाई इफेक्ट" को प्रकट करता है जहाँ सूक्ष्म शोर थर्मोडायनामिक सीमा में मैक्रोस्कोपिक स्क्रेम्बलिंग को प्रेरित करता है।
यह अध्ययन SCAPS-1D सिमुलेशन का उपयोग करके यह प्रदर्शित करता है कि Cs₂InSbCl₆-आधारित डबल पेरोव्स्काइट सौर सेल की मोटाई और बैंडगैप को अनुकूलित करने से पुनर्संयोजन हानि (recombination losses) में कमी और स्वीकार्य तापीय स्थिरता के साथ लगभग 28% की उच्च शक्ति रूपांतरण दक्षता प्राप्त होती है, जो इसे अगली पीढ़ी के फोटोवोल्टिक्स के लिए एक आशाजनक उम्मीदवार के रूप में स्थापित करता है।
यह शोध पत्र यह प्रदर्शित करता है कि गैर-रैखिक विसंगत हॉल प्रभाव (nonlinear anomalous Hall effect), जो बेरी कर्वेचर डायपोल (Berry curvature dipole) द्वारा संचालित और टूटी हुई काइरल समरूपता (broken chiral symmetry) द्वारा महत्वपूर्ण रूप से संवर्धित होता है, चार्ज न्यूट्रलिटी से दूर, स्ट्रेन्ड, वैली-पोलराइज्ड ट्विस्टेड बाइलेयर डाइस लैटिस (strained, valley-polarized twisted bilayer dice lattices) में टोपोलॉजिकल चरण संक्रमणों और संकेत उत्क्रमणों (sign reversals) का पता लगाने के लिए एक सुदृढ़ प्रोब के रूप में कार्य करता है।
यह अध्ययन प्रकाश की दिशा, संपर्क गुणों और अवशोषक मापदंडों के प्रभाव का विश्लेषण करके CISSe/CdS/ZnO/SLG सौर सेल को अनुकूलित करने के लिए SCAPS-1D सिमुलेशन का उपयोग करता है, जो अंततः एक शीर्ष-प्रकाशित (top-illuminated) विन्यास की पहचान करता है जिसमें अनुकूलित बैंडगैप और इलेक्ट्रॉन बंधुता (electron affinity) है जो 33.34% की अधिकतम शक्ति रूपांतरण दक्षता प्राप्त करता है।
यह शोध पत्र CeO2 नैनोकणों और BN नैनोशीट्स का उपयोग करके एक मॉडिफायर-मुक्त, दोष-प्रेरित इलेक्ट्रोस्टैटिक एंकरिंग रणनीति प्रस्तुत करता है ताकि एक मजबूत सिलिकॉन जेल कंपोजिट बनाया जा सके जो अत्यधिक तापमान वाले पावर डिवाइस एनकैप्सुलेशन के लिए पारंपरिक रासायनिक संशोधकों की सीमाओं को पार करते हुए, 250 °C पर असाधारण ढांकता हुआ ब्रेकडाउन स्ट्रेंथ (dielectric breakdown strength) और तापीय स्थिरता प्राप्त करता है।
यह शोध पत्र यह प्रदर्शित करता है कि 4H-SiC में क्लोरीन-आधारित दोष, पूरे दूरसंचार रेंज (telecommunication range) में शून्य-फोनोन लाइन उत्सर्जन, ऑप्टिकली डिटेक्टेड मैग्नेटिक रेजोनेंस और कमरे के तापमान पर स्पिन सुसंगतता (spin coherence) प्रदर्शित करके चिप-स्केल क्वांटम मेमोरी के लिए एक आशाजनक वेफर-स्केलेबल प्लेटफॉर्म के रूप में कार्य करते हैं।
SCAPS-1D सिमुलेशन का उपयोग करने वाला यह संख्यात्मक अध्ययन प्रदर्शित करता है कि डिवाइस आर्किटेक्चर, बैंडगैप इंजीनियरिंग और ट्रांसपोर्ट लेयर्स को अनुकूलित करना लीड-फ्री CsPbI₃ और Cs₂TiBr₆ पेरोवस्काइट सौर कोशिकाओं की पावर कन्वर्जन दक्षता को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ा सकता है, जिसमें Cs₂TiBr₆-आधारित कॉन्फ़िगरेशन ने 22.29% की शिखर दक्षता प्राप्त की है।
यह शोध पत्र एक दो-चरणीय न्यूरल रेसिडुअल डिकोडिंग फ्रेमवर्क प्रस्तावित करता है जो स्थानीय विश्वास-आधारित प्री-डिकोडिंग के लिए एक प्रीट्रेन्ड ग्राफ न्यूरल नेटवर्क को वैश्विक NVIDIA-त्वरित न्यूनतम-भार पूर्ण मिलान (minimum-weight perfect matching) क्लीनअप के साथ जोड़ता है, जिससे पारंपरिक तरीकों की तुलना में विभिन्न कोड दूरियों और शोर मॉडलों में तार्किक विफलता दरों और डिकोडिंग गति दोनों में महत्वपूर्ण सुधार प्राप्त होता है।
यह प्रथम-सिद्धांत (first-principles) अध्ययन संकुचित क्षार ब्रोमाइड्स और आयोडाइड्स में दबाव-प्रेरित धात्वीकरण और इलेक्ट्रॉन-फोनोन-मध्यस्थता वाली अतिचालकता की जांच करता है, जो यह प्रकट करता है कि अतिचालक संक्रमण तापमान मुख्य रूप से इलेक्ट्रॉन-फोनोन युग्मन शक्ति द्वारा नियंत्रित होता है और उच्च-दबाव चरणों की तुलना में जमीनी अवस्था (ground-state) की क्रिस्टल संरचना से अधिक निकटता से जुड़ा हुआ है।