Simultaneous anti-bunched and super-bunched photons from a GaAs Quantum dot in a dielectric metasurface
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि एक डाइइलेक्ट्रिक मेटासरफेस में एक एकल GaAs क्वांटम डॉट को एम्बेड करने से न्यूट्रल और चार्ज्ड एक्सिटॉन कॉम्प्लेक्स से क्रमशः एंटी-बन्च्ड और सुपर-बन्च्ड फोटॉन उत्सर्जन सक्षम होता है, जो कमजोर चार्ज्ड एक्सिटॉन ट्रांजिशन को तुलनीय काउंट रेट प्राप्त करने के लिए बढ़ाने द्वारा किया जाता है।