Controlled Fabrication of Uniform Columnar Porous GaN Architectures by Electrochemical Etching
Questo studio dimostra che l'aggiunta di ioni idrossido alle soluzioni di incisione elettrochimica consente la fabbricazione controllata di architetture di GaN poroso colonnari, uniformi e allineati verticalmente attraverso un meccanismo di reazione distinto, offrendo una via versatile per l'ingegnerizzazione di strutture ad alta porosità per applicazioni optoelettroniche.