Chemical tuning of electronic and transport properties of the Bi-Se-Te family of topological insulators
Utilizzando la spettroscopia fotoemissiva angolarmente risolta (ARPES), lo studio dimostra che l'aumento del contenuto di tellurio nella famiglia di isolanti topologici Bi₂(Se₁₋ₓTeₓ)₃ sposta il potenziale chimico, riducendo la densità degli stati di volume e inducendo una transizione da comportamento metallico a semiconduttore, permettendo infine di osservare la conduzione dominata dagli stati superficiali topologici metallici.