Rapid Atmospheric Vapor Deposition of H:In2O3 Transparent Conducting Oxide Thin Films
Questo articolo dimostra che la deposizione chimica da vapore a pressione atmosferica (AP-CVD) a temperature moderate (140°C) può sintetizzare rapidamente e in modo economicamente vantaggioso film di ossido conduttore trasparente H:In2O3 ad alte prestazioni, con conducibilità e trasmittanza superiori rispetto agli standard commerciali, sfruttando droganti idrogeno derivati dall'acqua per migliorare significativamente la mobilità dei portatori di carica.