Digital Etching of Single-Crystalline Silicon Fin Barriers Down to Sub-10 nm
Questo articolo presenta un processo di fabbricazione che combina l'incisione chimica anisotropa con una tecnica di incisione digitale basata sulla ripetizione di ossidazione tramite ricottura termica rapida e incisione con acido fluoridrico in fase vapore per produrre pinne di silicio monocristallino ad alto rapporto d'aspetto e con spessore inferiore ai 10 nm, stabilendo così un percorso scalabile per la creazione di qubit superconduttori con barriere dielettriche in silicio monocristallino.