Investigation of the RF Performance of n-JL (Junctionless) CombFETwith Ambient Temperature Variations
Questo studio utilizza simulazioni TCAD 3D per dimostrare che, sebbene le prestazioni RF di un CombFET n-Junctionless a 14 nm degradino con l'aumento delle temperature ambientali, il suo robusto design a impilamento verticale e i gap delle alette regolabili consentono un funzionamento ottimizzato per le applicazioni ad alta frequenza 6G sotto stress termico.