Self-oriented Seed Formation and Dynamic Annular-Gap Evolution During Sustained Long-length Entirely Detached Crystal Growth in the Vertical Directional Solidification (VDS)
Questo studio dimostra che la crescita di cristalli completamente distaccati e di lunga estensione di semiconduttori a base di Sb, ottenuta tramite un processo di Solidificazione Direzionale Verticale (VDS), è realizzata attraverso la formazione di un seme auto-orientato e la successiva evoluzione di un gap anulare dinamico, risultando in cristalli con una perfezione strutturale significativamente migliorata e densità di dislocazioni ridotte.