Amorphous High-κ Dielectrics for Top-Gate Integration in 2D Semiconductor Transistors
Questo articolo presenta una strategia di fabbricazione a temperatura ambiente che combina lo sputtering magnetronico e il trasferimento van der Waals per integrare dielettrici amorfi ad alta costante dielettrica (high-κ) privi di danni su semiconduttori 2D, abilitando transistor MoS2 con gate superiore (top-gate) dalle prestazioni elettriche superiori, inclusi un sottosoglia (subthreshold swing) vicino al limite di Boltzmann e elevati rapporti on/off.