Effect of Thermal Annealing on the Structural, Optical, and Photodetection Properties of β-Ga2O3 Thin Films Grown by the Sol-Gel Method on SiO2/Si Substrates
Questo studio dimostra che la ricottura termica di film sottili di β-Ga2O3 derivati da sol-gel su substrati di SiO2/Si trasforma efficacemente i precursori amorfi in strutture policristalline con band gap sintonizzabili e proprietà di fotodetection mediate da vacanze di ossigeno, consentendo la fabbricazione di fotodiodi planari a risposta rapida.