Impact of Layer Structure and Strain on Morphology and Electronic Properties of InAs Quantum Wells on InP (001)
Questo studio investiga come la struttura degli strati e la deformazione influenzino le proprietà elettroniche e la morfologia di pozzi quantici InAs su InP (001), rivelando che il design degli strati determina l'anisotropia della mobilità e che lo spessore critico porta al collasso del pozzo quantico.