Measuring pulse heating in Si quantum dots with individual two-level fluctuators
Questo studio misura il riscaldamento indotto da impulsi nei punti quantici di silicio utilizzando fluttuatori a due livelli, rivelando che l'effetto dipende dall'ampiezza e dalla frequenza degli impulsi e dalla presenza di elettroni sotto le porte, suggerendo che ridurre l'area delle porte con elettroni vicini possa mitigare il problema.