Fabrication and Electrical Characterization of Radio Frequency Magnetron Sputtered Al₂O₃ Thin-Film Metal–Insulator–Metal Capacitors on Platinized Silicon
本研究は、白金化シリコン上にRFマグネトロンスパッタリング法により成膜された60 nmのAl₂O₃薄膜を用いた高品質なメタル・絶縁体・メタルキャパシタの作製および特性評価に成功したことを示しており、それらは滑らかな形態、無視できるほどの漏れ電流、および電子機器への応用に適した安定した誘電特性を呈している。