Minimal-process CMOS-compatible resistive switches with intrinsic analog plasticity via oxygen implantation in Si
本論文は、シリコンへの酸素の直接注入によって、酸素空孔駆動のスイッチングおよびニューロモーフィック・アプリケーションに適した累積的な欠陥再編成を示す制御された非化学量論的SiOₓ層を形成することにより、固有のアナログ可塑性を備えた安定な抵抗変化型スイッチを製造するための、最小限のプロセスかつCMOS互換性のある手法を実証するものである。