Effect of Thermal Annealing on the Structural, Optical, and Photodetection Properties of β-Ga2O3 Thin Films Grown by the Sol-Gel Method on SiO2/Si Substrates
本研究は、SiO2/Si基板上におけるゾル-ゲル法由来のβ-Ga2O3薄膜の熱アニールが、アモルファス前駆体を、調整可能なバンドギャップと酸素欠陥を介した光検出特性を持つ多結晶構造へと効果的に変成させ、高速応答の平面型フォトディテクタの作製を可能にすることを実証している。