Uncovering the properties of homo-epitaxial GaN devices through cross-sectional infrared nanoscopy
이 논문은 중적외선 및 테라헤르츠 대역의 산란형 주사근접광학현미경 (s-SNOM) 을 활용하여 갈륨나이트라이드 (GaN) 소자의 국소 캐리어 농도와 표면 하부 결함을 기존 기술보다 높은 분해능과 민감도로 비파괴적으로 분석할 수 있음을 입증합니다.
Hossein Zandipour, Felix Kaps, Robin Buschbeck, Maximilian Obst, Aditha Senarath, Richarda Niemann, Niclas S. Mueller, Gonzalo Alvarez-Perez, Katja Diaz-Granados, Ryan A Kowalski, Jakob Wetzel, Raghunandan Balasubramanyam Iyer, Matthew Wortel, J. Michael Klopf, Travis Anderson, Alan Jacobs, Mona Ebrish, Lukas M. Eng, Alexander Paarman, Susanne C. Kehr, Joshua D. Caldwell, Thomas G. FollandWed, 11 Ma🔬 cond-mat.mtrl-sci