Nickel intercalation in epitaxial graphene on SiC(0001): a novel platform for engineering two-dimensional heterostructures
이 논문은 콜로이드 나노입자 침지 및 열 어닐링 공정을 통해 SiC(0001) 기판 위의 에피택셜 그래핀 아래에 니켈을 제어적으로 삽입하여, 그래핀의 밴드 구조를 유지하면서도 강력한 인터페이스 자성을 갖는 새로운 2 차원 이종구조를 성공적으로 구현하고 이를 스핀트로닉스 소자 개발을 위한 확장 가능한 플랫폼으로 제시했다는 내용을 담고 있습니다.