Filamentary Transport and Thermoelectric Effects in Mushroom Phase Change Memory Cells
본 연구는 2D 유한 요소 열전기 시뮬레이션을 활용하여, 전류가 상부 전극에서 좁은 하부 전극으로 흐를 때 GeSbTe 버섯형 상변화 메모리 셀의 열전 효과와 필라멘트성 수송이 리셋 에너지와 전력을 유의미하게 감소시킨다는 것을 입증하는 동시에, 프로그래밍 부피가 10 nm 이상의 접촉 치수와는 독립적이며 더 큰 접촉은 신뢰성 향상을 위해 변동성 증가를 대가로 지불한다는 것을 밝혀냈다.