Engineering Correlated Transparent Conductors via Metal-Insulator Transition Proximity
본 논문은 에피택셜 Ti-치환 박막에서 전자 충전(electronic filling)을 조절함으로써 광학적 투명도와 전기 전도도 사이의 상충 관계를 최적화할 수 있음을 입증하며, 금속-절연체 전이(metal-insulator transition)에 대한 근접성을 상관 전자 산화물 투명 도체 공학을 위한 일반적인 설계 전략으로 확립하고, 이를 통해 넓어진 광학적 창(optical windows)과 전이 근처에서의 무질서 보조 스펙트럼 가중치 재분배(disorder-assisted spectral weight redistribution) 사이의 균형을 달성한다.