Tellurium trioxide as an n-type wide-gap semiconductor with ultrahigh work functions from first principles
제1원리 계산은 -TeO가 광전자 응용 분야에 적합한 초고일함수(~8 eV)를 가진 유망한 n형 와이드 갭 반도체임을 밝혀냈는데, 단, 전자적 성능을 저하시킬 수 있는 표면 산소 공공을 억제하기 위해 산소 화학 포텐셜이 정밀하게 제어되어야 한다는 조건이 따른다.