Characteristics of GaAs Thin Films Grown by MOVPE Using Triethylgallium (TEGa) and Tertiarybutylarsine (TBAs)
본 연구는 600°C 이상의 성장 온도에서 트리에틸갈륨(TEGa)과 터셔리부틸아르신(TBAs) 전구체를 사용하여 매끄러운 표면, 낮은 캐리어 농도 및 높은 이동도를 가진 고품질의 비도핑된 동종 에피택셜 GaAs 박막을 성공적으로 성장시킬 수 있으며, 이는 더 낮은 온도에서 성장한 박막보다 성능이 현저히 우수함을 입증한다.