De categorie Cond-Mat — Mes-Hall op Gist.Science belicht het boeiende gebied van de mesoscopische fysica. Hier onderzoekers bestuderen materialen die groter zijn dan individuele atomen, maar kleiner dan de wereld die wij dagelijks zien. In deze microscopische schaal vertonen stoffen vaak verrassende nieuwe eigenschappen die niet voorspeld kunnen worden door enkel naar de deeltjes of het grote geheel te kijken.

Elk nieuw preprint in dit vakgebied komt rechtstreeks van arXiv. Ons team verwerkt deze publicaties direct na verschijning en levert voor elk artikel zowel een begrijpelijke samenvatting voor iedereen als een gedetailleerde technische analyse. Zo maken wij de complexe inzichten uit de theoretische fysica toegankelijk voor een breder publiek. Hieronder vindt u de meest recente bijdragen uit dit dynamische onderzoeksvel.

Gate-Tunable Photoresponse of Graphene Josephson Junctions at Terahertz Frequencies

In dit artikel wordt gedemonstreerd dat grafreen Josephson-juncties bij lage temperaturen een sterke, gate-begrijpelijke fotorespons vertonen in het terahertz-bereik, waardoor ze een veelbelovende platform vormen voor ultrasensitieve kwantumdetectie op deze frequenties.

X. Zhou, I. Gayduchenko, A. Kudriashov, K. Shein, A. Kuksov, L. Elesin, M. Kravtsov, A. Shilov, O. Popova, S. Jana, T. Taniguchi, K. Watanabe, G. Goltsman, K. Novoselov, D. A. Bandurin2026-04-02🔬 cond-mat.mes-hall

Electronic Raman scattering from 2D metals with broken inversion symmetry

Dit artikel presenteert een theorie voor elektronische Raman-verstrooiing in 2D-metalen zonder inversiesymmetrie, waarbij wordt aangetoond dat het breken van SU(2)-symmetrie de koppeling tussen fotonen en spin-excitaties mogelijk maakt zonder resonantie, en dat deze techniek, met name in grafen met sterke spin-baan-koppeling, gevoelige informatie biedt over de spinstructuur en de samenstelling van de spin-baan-koppeling.

Mojdeh Saleh, Saurabh Maiti2026-04-02🔬 cond-mat.mes-hall

Electronic transport in BN-encasulated graphene limited by remote phonon scattering

Dit onderzoek toont aan dat de elektronische transport in hBN-geëncapsuleerd grafiet fundamenteel wordt beperkt door verstrooiing aan de polaire optische fononen van het omringende hexagonale boor-nitride, vooral bij lage ladingsdragerdichtheden en temperaturen tussen 150 K en kamertemperatuur.

Khalid Dinar, Francesco Macheda, Alberto Guandalini, Matthieu Paillet, Christophe Consejo, Frederic Teppe, Benoit Jouault, Thibault Sohier, Sébastien Nanot2026-04-02🔬 cond-mat.mes-hall

Andreev-enhanced conductance quantization and gate-tunable induced superconducting gap in germanium

Dit artikel beschrijft de observatie van ballistische transportkarakteristieken met Andreev-versterkte geleidingskwantisatie en het gate-tuneerbare karakter van een geïnduceerde supergeleidende gap in een Ge/SiGe-kwantumput met een supergeleider.

Elyjah Kiyooka, Chotivut Tangchingchai, Gonzalo Troncoso Fernandez-Bada, Boris Brun-Barriere, Simon Zihlmann, Romain Maurand, Francois Lefloch, Vivien Schmitt, Jean-Michel Hartmann, Manuel Houzet, Sil (…)2026-04-02🔬 cond-mat.mes-hall

Emergent Weyl Nodes and Berry Curvature in Bose Polarons via pp-Wave Feshbach Coupling

Dit artikel voorspelt dat Bose-polaronen, die een impuriteit in een Bose-Einsteincondensaat voorstellen, topologische eigenschappen vertonen met een niet-nul Berry-kromming en Weyl-nodes die ontstaan door pp-golf Feshbach-resonantie, zelfs zonder spin-vrijheidsgraden, wat leidt tot een chirale anomalie voor geladen impuriteiten die via Hall-transport in koude atomaire systemen kan worden waargenomen.

Hiroyuki Tajima, Eiji Nakano, Kei Iida2026-04-02⚛️ nucl-th

Impact of gate voltage on switching field of perpendicular magnetic tunnel junctions with a synthetic antiferromagnetic free layer

Dit artikel presenteert een unificerend kader voor de analyse van spin-overdrachtkoppel, spanningsgestuurde magnetische anisotropie en Joule-verwarming in synchro-antiferromagnetische vrije lagen van magnetische tunnelkoppelingen, waarbij wordt aangetoond dat spanningsgestuurde anisotropie overheerst bij hoge weerstand-oppervlakte-producten en dat deze mechanismen schaalbaar zijn voor energie-efficiënte SOT-MRAM-technologieën.

K. Fan (IMEC, Leuven, Belgium, Department of Electrical Engineering, ESAT-INSYS Division, Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, Belgium), S. V. Beek (IMEC, Leuven, Belgium), G. Talmelli (IMEC, Leuve (…)2026-04-02🔬 cond-mat.mes-hall