Detecting Exciton Condensation through Charge Transport in Semiconductor Heterostructures
Dit artikel stelt het gebruik van ladingsvervoermetingen in gedoteerde overgangsmetaaldichalcogenide-heterostructuren voor om excitonencondensatie te detecteren door het identificeren van onderscheidende kenmerken zoals een verminderde resistiviteit als gevolg van onderdrukte verstrooiing en een tekenomkering van de Hall-resistiviteit veroorzaakt door condensaat-geïnduceerde hybridisatie nabij een vaste-stof Feshbach-resonantie.