Photogalvanic Effects in Surface States of Topological Insulators under Perpendicular Magnetic Fields
Dit theoretische onderzoek toont aan dat de fotogalvanische verschuivingsstroom in de oppervlaktetoestanden van topologische isolatoren zoals BiSe onder een loodrecht magnetisch veld sterk kan worden afgestemd via het chemisch potentieel en het magnetisch veld, waarbij alleen elliptisch of lineair gepolariseerd licht een netto stroom genereert als gevolg van de -symmetrie.