Electron transport in a 1.6~nm-thick double-gated (100) silicon nanosheet: A theoretical study accounting for phonon confinement and remote-phonon scattering
Deze theoretische studie toont aan dat in 1,6 nm dikke silicium-nanosheets realistische fonon-confinement randvoorwaarden de mobiliteit bij kamertemperatuur aanzienlijk verlagen en de verzadigde snelheid bij hoge velden verlagen, terwijl remote-fononverstrooiing van hoog-kappa gate stacks een verwaarloosbare negatieve impact heeft op de mobiliteit bij lage velden en de verzadigde snelheid zelfs verhoogt door elektronen af te koelen.