Gate-Tunable Mid-Infrared Electroluminescence from Te/MoS2 p-n Heterojunctions
Deze studie demonstreert een gate-tunbare mid-infrarood licht-emitterende diode op basis van een Te/MoS2 p-n heteroverbinding die gepolariseerde emissie rond 3,5 μm toont bij lage temperaturen, waardoor een veelbelovende platform wordt geboden voor geïntegreerde opto-elektronica.