Gate-tunable synthetic antiferromagnetism with nonrelativistic spin splitting in a graphene/MnS/graphene heterostructure
Dit artikel stelt een gate-begrijpbaar synthetisch antiferromagnetisch systeem voor, bestaande uit een MnS-laag tussen grafijnschijven, dat via ab initio-berekeningen en tight-binding-modellen wordt aangetoond om niet-relativistische spin-splitsing te genereren die spintronisch transport en gigantische magnetoresistie mogelijk maakt.