Hot carrier diffusion-assisted ideal carrier multiplication in monolayer MoSe2
Deze studie demonstreert dat monolaag MoSe2 een theoretisch maximale ladingsvermenigvuldigingsefficiëntie bereikt door onderdrukte ladings-roosterverstrooiing en overvloedige 2Eg-bandnestingpaden, waarmee het zijn bulktegenhanger overtreft en zichzelf positioneert als een veelbelovende kandidaat voor de volgende generatie opto-elektronische toepassingen.