Low-Noise Quantum Dots in Ultra-Shallow Ge/SiGe Heterostructures for Prototyping Hybrid Semiconducting-Superconducting Devices
Dit onderzoek toont aan dat Ge/SiGe-heterostructuren met een dunne SiGe-caplaag van ongeveer 4 nm, gecombineerd met lage-temperatuur oxide-depositieprocessen, lage lading-ruis vertonen en daarmee een veelbelovend platform vormen voor de ontwikkeling van hybride halfgeleider-supraleider apparaten.