Probing Boron Vacancy Defects in hBN via Single Spin Relaxometry
Deze studie demonstreert dat een enkele stikstof-leegte (NV) in diamant, gekoppeld aan scanning probe-microscopie, kan worden gebruikt om boor-leegte-defecten in hexagonaal boornitride (hBN) indirect te detecteren en in kaart te brengen via spin-relaxatiemetingen, zonder dat optische excitatie of fluorescentie van de hBN-defecten zelf nodig is.