The "Moiré Capacitor Effect" and Stabilization of Fractional Chern Insulators in Rhombohedral Graphene Superlattices
Dit artikel introduceert het "Moiré Capacitor Effect" als een mechanisme dat het moiré-potentiaal elektrostatisch versterkt in rhomboëderale grafeen-hBN-superroosters, waardoor een ouderlijke Chern-isolatorstaat wordt gestabiliseerd en de opkomst van Fractionele Chern-isolatoren door interband-fluctuaties mogelijk wordt gemaakt, wat de experimentele waarneming van deze staat in uitgelijnde monsters en de afwezigheid ervan in niet-uitgelijnde monsters verklaart.